这几年，我国深紫外LED技术应用发展相对迅速，除了一些科研院所在紫外LED取得了丰硕的研究成果外，国内的LED企业也在这个领域开拓出属于自己的市场。

　　在近紫外LED芯片领域以西安中为光电、亚威朗光电、华磊光电等为代表上游公司都有涉及近紫外芯片。紫外LED芯片发光的波长越短，技术难度就越大，在深紫外LED芯片领域我国也有以青岛杰生、太湖裕田为代表的优秀企业。另外以国星光电、鸿利光电为代表的中游封装公司都推出了各自的紫外LED产品。

　　我国台湾地区的晶电、新世纪、荣创等LED企业都在紫外LED产品开始布局。相对于我国LED发展状况而言，目前国外的紫外LED的发展状况又是怎么样的呢？日本凭借其在蓝光LED领域的先发优势，在紫外LED方面的进展同样举世瞩目，日本主要紫外LED包括日亚化学与DOWA等。美国在深紫外的研究方面领先，具有代表性的企业是美国的SMTI公司，但是近年有被日本超越的趋势，日本日机装（NIKKISO）将从2015年春季开始量产发光波长为255~350 nm的深紫外LED。韩国厂商首尔半导体与LG Innotek也在研发紫外LED。与蓝光不同，目前紫外LED正处于技术发展期，在专利和知识产权方面限制较少，有利于占领、引领未来的技术制高点。

　　国内在紫外LED的装备、材料和器件方面都有了一定的积累。在紫外LED形成大规模产业之前，还需要国家的引导和支持，以便在核心技术方面取得先机。

　　未来需解决的技术难题是蓝宝石衬底上高质量AlN模板的MOCVD外延生长;AlGaN量子阱的发光机制研究与结构控制技术;P型高Al组分AlGaN掺杂技术研究;低欧姆接触电极的制作;电流拥堵效应的解决;紫外LED出光效率提高技术;荧光材料的高效合成;耐热抗紫外封装材料的研究;深紫外LED的器件工艺和封装技术;应用模块研制等。在国内外众多紫外LED研究工作者的共同努力下，相信紫外LED芯片的应用前景将一片光明。

　　根据紫外LED芯片的研究现状，预计其未来研究发展方向有如下几个方面：研究高质量的深紫外材料外延生长技术;高Al组分AlGaN材料生长技术和掺杂技术;深紫外LED结构设计;波长300nm以下LED器件芯片制作工艺和封装技术;面向医疗、杀菌和净化应用领域的紫外光源模块开发和应用;近紫外LED激发荧光粉制备高性能白光LED。