深紫外led氮化镓GaN外延片2英寸深紫外外延片

深紫外led氮化镓GaN外延片2英寸深紫外外延片

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深紫外led氮化镓GaN外延片2英寸深紫外外延片

  • 产品详情
  • 产品参数

1、外延片波长介绍 Description

   255nm外延片Epiwafer；265nm外延片Epiwafer；275nm外延片Epiwafer


2、外形尺寸 Outline Dimension

    直径50.8+0.05mm   厚度：0.43mm

如下图：

外延片尺寸图.png

2、外延片结构 Epilayers Structure
外延片结构.png
3、电气和光学特性   Electrical&Optical Characteristics

Wafer IDEL#1#2#3#4#5AvgComment
#1@20mAVf (V)11.911.711.211.611.711.6
Wp (nm)261.0262.0263.0263.0263.0263.0
FWHM (nm)11.611.711.811.911.911.8
Po (mW)0.220.210.200.240.250.22

@-5VIr (uA)6.26.86.07.013.07.8


紫芯半导体流片工艺图


流片工艺图.png





型号
PED-02-YT
尺寸
2英寸（50.8mm）
类型
氮化镓外延片
工作电压
6.0V
出PIN方式
P/N